倾斜磁场中 n 型 GaAs/AlGaAs 宽量子阱的电子能带结构
介观与纳米尺度物理
2019-09-04 v2
摘要
在 n-AlGaAs/GaAs 宽(75 nm)量子阱结构中，于 =(20–500)~mK 用非接触声学方法测量了磁场中交流电导率实部 的振荡。在宽量子阱中，电子能带结构与双子带电子谱相关，即由电子静电排斥形成的对称(S)与反对称(AS)子带。实验中观测到的倾斜磁场下振荡幅度的变化，源于不同子带(S 与 AS)的朗道能级在费米能级处的交叉。本文发展的理论表明，这些交叉是由面内磁场引起的 S 与 AS 子带中回旋能量差异所导致的。
引用
@article{arxiv.1811.07128,
title = {Electronic band structure in $n$-type GaAs/AlGaAs wide quantum wells in tilted magnetic field},
author = {I. L. Drichko and I. Yu. Smirnov and A. V. Suslov and M. O. Nestoklon and D. Kamburov and K. W. Baldwin and L. N. Pfeiffer and K. W. West and L. E. Golub},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.07128},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 5 figures