狭窄 AlAs 量子阱中二维电子的自旋磁化率
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2 强关联电子
摘要
我们报告了测量狭窄 AlAs 量子阱中二维稀疏电子的自旋磁化率。该阱中的电子占据垂直于导带谷中，使其系统类似于 Si-MOSFET 中的二维电子，但仅占据一个谷。我们观察到自旋磁化率超过带值，随着电子密度减小而增大，符合量子蒙特卡罗计算的预测，并在金属-绝缘体相变处仍保持有限值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0403191,
title = {Spin susceptibility of two-dimensional electrons in narrow AlAs quantum wells},
author = {K. Vakili and Y. P. Shkolnikov and E. Tutuc and E. P. De Poortere and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0403191},
year = {2009}
}
备注
4+ pages, 4 figures. Dotted line added to Fig. 4(a) to clarify the QMC calculation