硅二维电子体的自旋极化与金属性
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2 强关联电子
摘要
我们研究了Si/SiGe量子井中一种极低电阻率的二维电子体的磁性和输运性质。自旋极化随平面磁场线性增长，自旋易感性的增强与Si-MOS结构一致。电阻随温度的变化在强磁场下仍保持金属性，尽管此时自旋自由度已被冻结。我们还发现了电流方向与平面磁场之间存在磁阻各向异性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0307521,
title = {Spin polarization and metallic behavior of a silicon two-dimensional electron system},
author = {Tohru Okamoto and Mitsuaki Ooya and Kunio Hosoya and Shinji Kawaji},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0307521},
year = {2009}
}
备注
4 pages, RevTeX, 6 eps-figures