(111) 硅中稀薄二维电子系统的自旋磁化率和极化场
强关联电子
2009-05-15 v1
摘要
我们发现，通过缩放 (111) 硅中稀薄二维电子系统在不同电子密度下的弱平行场磁阻得到的极化场 B_χ，对应于在低密度下强烈增长的自旋磁化率。由电阻饱和确定的极化场 B_sat 随着电子密度的增加而偏离到低于 B_χ 的值，这可以通过在完全自旋极化状态下上电子子带的填充来解释。
引用
@article{arxiv.0902.0887,
title = {Spin susceptibility and polarization field in a dilute two-dimensional electron system in (111) silicon},
author = {A. A. Kapustin and A. A. Shashkin and V. T. Dolgopolov and M. Goiran and H. Rakoto* and Z. D. Kvon},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.0887},
year = {2009}
}