强相关二维电子在硅 Inversion层中的热力学自旋磁化
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v3 强关联电子
摘要
应用一种新发明的方法来测量稀疏二维费米子的微小热力学自旋磁化，在硅 Inversion层中。铁磁相互作用与无序的相互作用使低温易失性值比非相互作用电子的Pauli易失性值提高了最高7.5倍。磁化在密度转移到强局域化位置附近达到峰值。在相同密度处，易失性值几乎与自由自旋（Curie易失性）一致，表明自旋极化所增加的动能代价几乎完全被铁磁相关所获得的能量所抵消。然而，平衡仍偏向无序相而非自发磁化。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0209142,
title = {The thermodynamic spin magnetization of strongly correlated 2d electrons in a silicon inversion layer},
author = {O. Prus and Y. Yaish and M. Reznikov and U. Sivan and V. Pudalov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209142},
year = {2009}
}
备注
Minor changes. One reference is added and typos fixed. As appeared in PRB