硅中自旋极化二维电子系统的电荷输运
强关联电子
2009-11-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们分析了硅中强相互作用二维电子系统在零磁场和平行于样品平面的 14.2T 自旋极化磁场下的电导率 σ(T) 的温度依赖性。测量在宽温度范围 (1.4-9)K 内进行，处于电子-电子相互作用的弹道区，即 Tτ > 1。在零磁场下，获得的 σ(T) 数据与相互作用修正理论定量吻合。在完全自旋极化状态下，测得的 σ(T) 依赖性在相同温度范围内是非线性的，甚至是非单调的，而在没有场的情况下，σ(T) 依赖性是单调的。然而，实验 σ(T) 依赖性的低温部分是线性的，并且与计算出的相互作用修正定性一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605740,
title = {Charge Transport in a Spin-Polarized 2D Electron System in Silicon},
author = {D. A. Knyazev and O. E. Omelyanovskii and A. S. Dormidontov and V. M. Pudalov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605740},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures