Si反位层中二维“金属”导电性在中间温度范围的温度依赖性
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们指出，最近的实验声称在中间温度下观察到Si反位层导电性中存在“相互作用效应”[Pudalov 等人, \prl {\bf 91}, 126403 (2003)]是错误且误导的。特别是，电导与电阻率（该论文中所展示的）在温度上并不具有线性温度区间，从而使得提取斜率完全任意。我们还表明，对于较高的载流子密度，标准半经典传输理论（包括实际的无序效应，如屏蔽带电杂质和表面粗糙度散射），与实验数据几乎定量一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310260,
title = {On the temperature dependence of 2D "metallic" conductivity in Si inversion layers at intermediate temperatures},
author = {S. Das Sarma and E. H. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310260},
year = {2009}
}
备注
Comment on Pudalov {\it et al}. Phys. Rev. Lett. {\bf 91}, 126403 (2003)