二维金属电子体系在临界密度处有效质量的尖锐增大
强关联电子
2007-05-23 v2
摘要
我们发现，在中间温度范围内，硅中二维电子的电导率σ(T)的金属温度依赖性可被Zala等人（Phys. Rev. B 64, 214204 (2001)）的最新相互作用理论良好描述。电导率随温度斜率dσ/dT趋向在临界电子密度处发散的趋势，与此前关于该电子体系发生铁磁不稳定性的假设相吻合。意外地发现，这一现象源于有效质量的尖锐增强，而有效洛伦兹g因子几乎保持不变且接近硅中块体材料的值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111478,
title = {Sharp increase of the effective mass near the critical density in a metallic 2D electron system},
author = {A. A. Shashkin and S. V. Kravchenko and V. T. Dolgopolov and T. M. Klapwijk},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111478},
year = {2007}
}