对“Si 反型层中低密度自旋磁化率和迁移电子有效质量”的评论
强关联电子
2007-05-23 v3
摘要
在最近的一篇快报 (PRL 88, 196404 (2002)) 中，Pudalov 等人研究了硅中稀薄二维电子系统的有效 g 因子和有效质量。作者将他们的数据与我们小组 (Shashkin 等人，PRL 87, 086801 (2001)) 获得的数据进行了对比，并声称自旋磁化率“随着密度降低而逐渐增加”，这“不支持自发自旋极化和 gm 发散的发生……”。本评论的目的是表明，所有可用的实验数据，包括 Pudalov 等人的数据，都是相互一致的，并且都支持在该二维系统中，在有限电子密度下发生自发自旋极化和 gm 发散。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106056,
title = {Comment on "Low-Density Spin Susceptibility and Effective Mass of Mobile Electrons in Si Inversion Layers"},
author = {S. V. Kravchenko and A. A. Shashkin and V. T. Dolgopolov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106056},
year = {2007}
}
备注
as published