Si反型层中低密度移动电子的自旋磁化率与有效质量
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v2 无序系统与神经网络
摘要
我们在高迁移率 Si-MOS 样品中，针对宽范围的载流子密度 cm（涵盖二维表观金属-绝缘体转变（2D MIT）附近区域）研究了 Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡。利用在叠加且独立控制的平行与垂直磁场中测量 SdH 振荡的新技术，我们测定了移动电子的自旋磁化率 、有效质量 和 因子。这些量随密度降低而逐渐增大；在 2D MIT 附近，我们观察到 增强了约 4.7 倍。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105081,
title = {The low-density spin susceptibility and effective mass of mobile electrons in Si inversion layers},
author = {V. M. Pudalov and M. E. Gershenson and H. Kojima and N. Butch and E. M. Dizhur and G. Brunthaler and A. Prinz and G. Bauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105081},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures