高磁场中量子振荡揭示的 a-LaAlO$_3$/KTaO$_3$ 界面电子子带
材料科学
2021-09-15 v1
摘要
通过研究高磁场中的 Shubnikov-de Haas（SdH）振荡，我们实验推断了离子液体门控非晶（a）-LaAlO/KTaO 界面处准二维电子气（2DEG）的电子能带结构。SdH 振荡的角依赖关系表明界面处大多数电子受二维限制。然而，在高倾角下观察到的具有角度无关频率的附加 SdH 振荡表明，存在延伸至 KTaO 深处的三维电荷载流子。垂直于界面测量的 SdH 振荡显示出四个频率，对应于四个具有不同有效质量（0.20 - 0.55 ）的二维子带。源自三维电子的单频振荡给出约 0.70 的较大有效质量。总体而言，推断的子带与 KTaO 表面 2DEG 的理论计算及角分辨光电子能谱研究吻合良好。
引用
@article{arxiv.2103.13344,
title = {Electronic subbands in the a-LaAlO$_3$/KTaO$_3$ interface revealed by quantum oscillations in high magnetic fields},
author = {Km Rubi and Shengwei Zeng and Femke Bangma and Michel Goiran and A. Ariando and Walter Escoffier and Uli Zeitler},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.13344},
year = {2021}
}