MoSe$_2$ 中 $K$ 谷电子的大有效质量与相互作用增强的塞曼分裂
介观与纳米尺度物理
2018-05-21 v2
摘要
我们研究了单层与双层 MoSe 中高迁移率电子的磁输运，其在高磁场下显示出 Shubnikov-de Haas（SdH）振荡与量子霍尔态。从 SdH 振荡的温度依赖中提取出 0.8 的电子有效质量； 为裸电子质量。在固定电子密度下，纵向电阻在填充因子（FFs）处呈现极小值，这些填充因子或主要呈奇数，或主要呈偶数，其奇偶随密度调谐而改变。SdH 振荡对面内磁场不敏感，与 点处电子的自旋面外取向一致。我们将填充因子的奇偶转变归因于随着密度降低而出现的塞曼能量的相互作用增强，导致塞曼-回旋能量比增大。
引用
@article{arxiv.1804.10104,
title = {Large effective mass and interaction-enhanced Zeeman splitting of $K$-valley electrons in MoSe$_2$},
author = {Stefano Larentis and Hema C. P. Movva and Babak Fallahazad and Kyoughwan Kim and Armad Behroozi and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Sanjay K. Banerjee and Emanuel Tutuc},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.10104},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 5 figures; includes supplemental material