双层石墨烯中的电子-电子相互作用与电子-空穴不对称性（支撑材料）
强关联电子
2011-08-24 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了利用舒布尼科夫-德哈斯振荡的温度依赖性对高质量双层石墨烯中有效质量 m* 的精密测量。在密度范围 0.7 x 10^12/cm^2 < n < 4.1 x 10^12 /cm^2 内，空穴质量 m*_h 和电子质量 m*_e 均随密度增加而增大，证明了能带的双曲性质。空穴质量 m*_h 比电子质量 m*_e 大约20-30%。紧束缚计算很好地描述了电子-空穴不对称性，并给出了层间跳跃参数 v_4 = 0.063 的精确测量值。m*_h 和 m*_e 均比单粒子值显著压低，这为双层石墨烯能带结构中电子-电子相互作用的强重整化效应提供了清晰且前所未有的证据。
引用
@article{arxiv.1103.2061,
title = {Electron-electron interaction and electron-hole asymmetry in bilayer graphene (Supporting Materials)},
author = {K. Zou and X. Hong and J. Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.2061},
year = {2011}
}
备注
Supporting material for arXiv:1103.1663