近表面InAs量子阱中有效质量的实验测量
介观与纳米尺度物理
2020-05-20 v2 材料科学
摘要
近表面砷化铟量子阱近来引起了极大关注，因为它们可与超导薄膜外延集成，并已被证明是探索介观与拓扑超导的稳健平台。本工作中，我们展示了限制在近表面砷化铟量子阱中的二维电子气的磁输运性质。从Shubnikov-de Haas振荡包络提取的电子质量在低磁场下显示平均有效质量 = 0.04。作为磁输运研究的补充，我们采用回旋共振测量提取了超高磁场区间的电子有效质量。我们的测量表明，在该区间有效质量依赖于磁场。通过考虑包含砷化铟导带非抛物线性模型，可理解该数据。
引用
@article{arxiv.1911.02738,
title = {Experimental Measurements of Effective Mass in Near Surface InAs Quantum Wells},
author = {Joseph Yuan and Mehdi Hatefipour and Brenden A. Magill and William Mayer and Matthieu C. Dartiailh and Kasra Sardashti and Kaushini S. Wickramasinghe and Giti A. Khodaparast and Yasuhiro H. Matsuda and Yoshimitsu Kohama and Zhuo Yang and Sunil Thapa and Christopher J. Stanton and Javad Shabani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.02738},
year = {2020}
}