GaAs/AlGaAs 量子阱中有效质量减小的证据
介观与纳米尺度物理
2013-05-09 v1
摘要
我们在高迁移率 GaAs/AlGaAs 量子阱中进行了微波光电阻测量，并研究了有效质量的值。令人惊讶的是，从微波诱导电阻振荡周期获得的有效质量发现比 GaAs 中的能带质量 低约 12%。这一发现为电子 - 电子相互作用提供了有力证据，这种相互作用可在非常高的朗道能级中通过微波光电阻进行探测。相比之下，测得的磁等离激元色散显示的有效质量接近 ，这与之前的研究一致。
引用
@article{arxiv.1305.1814,
title = {Evidence for effective mass reduction in GaAs/AlGaAs quantum wells},
author = {A. T. Hatke and M. A. Zudov and J. D. Watson and M. J. Manfra and L. N. Pfeiffer and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.1814},
year = {2013}
}