未掺杂 Ge/SiGe 量子阱中的轻有效空穴质量
介观与纳米尺度物理
2019-08-07 v1 材料科学
摘要
我们报道了未掺杂锗量子阱中依赖密度的有效空穴质量测量。通过将应变埋入式 Ge 沟道置于距表面 12 nm 和 44 nm 的不同深度，我们在顶栅场效应晶体管中覆盖了大范围密度（ cm）。由 Shubnikov-de Haas 振荡幅度的热阻尼，我们在密度 cm 处测得 的轻质量。我们确认了理论预测的随密度增加质量增大的依赖关系，并通过外推在零密度处得到 的有效质量，这是已展示量子点中自旋量子比特的平面平台最轻的有效质量。
引用
@article{arxiv.1905.08064,
title = {Light effective hole mass in undoped Ge/SiGe quantum wells},
author = {M. Lodari and A. Tosato and D. Sabbagh and M. A. Schubert and G. Capellini and A. Sammak and M. Veldhorst and G. Scappucci},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.08064},
year = {2019}
}