Ge 量子阱中低密度二维空穴的有效 g 因子

我们报道了 Ge 量子阱中低密度二维空穴的有效 $g$ 因子的测量。利用 Shubnikov-de Haas 振荡的温度依赖性，我们提取了垂直于样品表面的磁场中的有效 $g$ 因子。在 $1.4\times10^{10}$ cm$^{-2}$ 到 $1.4\times10^{11}$ cm$^{-2}$ 的密度范围内，观察到有效 $g$ 因子非常大，范围从 $\sim13$ 到 $\sim28$。当磁场平行于样品表面时，有效 $g$ 因子由磁阻数据中的凸起获得，该凸起标志着完全自旋极化。在后一种取向下，在 $1.5\times10^{10}$ cm$^{-2}$ 到 $2\times10^{10}$ cm$^{-2}$ 的密度范围内测得较小的有效 $g$ 因子，约为 $\sim1.3-1.4$。这种非常强的各向异性与理论预测以及其他二维空穴系统（如 InGaAs 和 GaSb）中的先前测量一致。