应变 Ge 量子阱中二维空穴的有效 g 因子

研究了调制掺杂 \mbox{p-SiGe/Ge/SiGe} 结构中二维空穴的有效 g 因子。利用无接触声学方法,在垂直于样品面向上达 $8~\text{T}$ 的磁场中,测量了空穴密度从 $3.9 \times 10^{11}$ 到 $6.2 \times 10^{11}~\text{cm}^{-2}$ 的样品的交流电导。通过对电导振荡温度依赖性的分析,确定了每个样品的 $\mathrm{g}_{\perp}$ 因子。发现 $\mathrm{g}_{\perp}$ 因子随空穴密度近似线性减小。该效应归因于价带的非抛物线性。