整数量子霍尔效应区中 p-Ge/GeSi 结构跳跃交流导纳的普适频率依赖性
介观与纳米尺度物理
2018-12-13 v1
摘要
在整数霍尔效应区的横向电导极小值处实现的跳跃交流导纳，已通过声学与微波方法相结合进行了测量。测量在具有量子阱的 p-GeSi/Ge/GeSi 结构中、宽频率范围（30-1200 MHz）内完成。交流导纳实部 的实验频率依赖性基于如下模型解释：假定跳跃发生在属于孤立团簇的局域电子态之间。在高频下，主导团簇为相近态对；随频率降低，当频率趋于零时合并为无限渗流团簇的大团簇变得重要。在此情形下，交流导纳的频率依赖性可由一条普适曲线表示。已确定标度参数及其磁场依赖性。
引用
@article{arxiv.1812.04870,
title = {Universal Frequency Dependence of the Hopping AC Conductance in p-Ge/GeSi Structures in the Integer Quantum Hall Effect Regime},
author = {I. L. Drichko and A. A. Dmitriev and V. A. Malysh and I. Yu. Smirnov and Yu. M. Galperin and H. von Känel and M. Kummer and G. Isella and D. Chrastina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.04870},
year = {2018}
}
备注
9 pages, 12 figures, 1 table