量子霍尔效应区的高频跳跃电导率：声学研究
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
利用声学方法研究了Si掺杂GaAs/AlGaAs异质结构在整数量子霍尔效应(QHE)区的高频电导率。复电导率的实部和虚部均从实验观测的表面声波速度和衰减的磁场与温度依赖性中确定。结果表明，在所研究的结构中，QHE平台中心附近的低温电导机制为跳跃机制。还表明，在填充因子为2和4的磁场下，掺杂Siδ层有效地分流了二维电子气(2DEG)通道中的电导。发展了一种分离电导率实部两个贡献的方法，并估计了2DEG通道中的局域化长度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0003095,
title = {High-frequency hopping conductivity in the quantum Hall effect regime: Acoustical studies},
author = {I. L. Drichko and A. M. Diakonov and I. Yu. Smirnov and Y. M. Galperin and A. I. Toropov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0003095},
year = {2009}
}
备注
8pages, 9 figures