GaAs/AlGaAs 异质结中整数量子霍尔效应的高频失效
介观与纳米尺度物理
2019-01-23 v1
摘要
整数量子霍尔效应在约 100 Hz 以下频率是一个被充分研究的现象。高频霍尔电导中的平台已被实验证明可保持至 33 GHz，但更高频率下的行为大体上未被探索。利用连续波太赫兹光谱，我们在 69–1100 GHz 范围内研究了 GaAs/AlGaAs 异质结的复霍尔电导。在 100 GHz 以上，量子平台被强烈抹平，并由电导实部中微弱的量子振荡所取代。振荡幅度随频率升高而减小。在接近 1 THz 时，霍尔电导未显现任何与朗道能级填充相关的特征。虚部中也观察到类似振荡，该效应在零频率下无类比。这一实验图景与现有高频量子霍尔效应的理论考量不符。
引用
@article{arxiv.1811.08777,
title = {High-frequency breakdown of the integer QHE in GaAs/AlGaAs heterojunctions},
author = {V. Dziom and A. Shuvaev and A. V. Shchepetilnikov and D. MacFarland and G. Strasser and A. Pimenov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.08777},
year = {2019}
}