量子霍尔效应区中声吸收振荡里的电子局域化
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
实验研究了与 GaAs/AlGaAs 异质结构（具有二维电子迁移率 ，T=4.2K）通过小间隙接触的红外压电绝缘体中表面声波的吸收系数随波频率、真空隙宽度、磁场和温度的变化。计算并分析了高频电导率（30-210 MHz 区域）的磁场和频率依赖关系。若假设存在载流子发生局域化的涨落势，则可解释实验结果。讨论了表面声波与局域在朗道能级能量“尾部”中的二维电子相互作用时的吸收。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9910450,
title = {Electron localization in sound absorption oscillations in the quantum Hall effect regime},
author = {I. L. Drichko and A. M. Diakonov and A. M. Kreshchuk and T. A. Polyanskaya and I. G. Savel'ev and I. Yu. Smirnov and A. V. Suslov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9910450},
year = {2009}
}
备注
RevTeX 6 pages+6 EPS pics