Si/SiGe 异质结构表面声波探测 p 型材料
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
测量了 p 型 Si/SiGe 异质结构的表面声波(SAW)衰减系数 Γ 和速度变化 ΔV/V。在 0.7-1.6 K 的温度范围内、外部磁场 H 最高可达 7 T、频率范围 30-300 MHz 的孔隙 Si/SiGe 异质结构中,观察到 Γ(H) 和 ΔV/V(H) 的磁场振荡。确定了高频导电性的实部 σ₁(H) 和虚部 σ₂(H) 分量。通过分析 σ₁ 与 σ₂ 比值,可随温度和磁场跟踪载流子局域化程度。在 T=0.7 K 时,研究了 Γ、ΔV/V 和 σ₁ 随 SAW 强度的变化,可归因于 SAW 电场对 2DHG 的加热。能量松弛时间主要由声子变形势能散射引起,其屏蔽效应较弱。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0401631,
title = {Surface Acoustic Waves probe of the p-type Si/SiGe heterostructures},
author = {G. O. Andrianov and I. L. Drichko and A. M. Diakonov and I. Yu. Smirnov and O. A. Mironov and M. Myronov and T. E. Whall and D. R. Leadley},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0401631},
year = {2007}
}
备注
RevTeX4; 4 figs