GaAs 上表面声波的温度依赖角向色散
材料科学
2021-05-04 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
我们测量了在（001）切 GaAs 衬底上不同晶向传播的表面声波（SAWs）的相速度及其温度依赖性。我们设计并制备了多组叉指换能器（IDTs），以通过逆压电（PZE）效应在 GaAs 上 PZE [110] 方向（设为 θ = 0°）与非 PZE [100] 方向（θ = 45°）之间激发 4 μm 表面声波。我们还制备了溅射 ZnO 薄膜的 GaAs 衬底，以便 IDTs 即使在非 PZE 方向也能高效激发表面声波。利用网络分析仪，我们从 S11 参数中的谐振频率量化了 1.4 至 300 K 间的声速。我们观察到在 GaAs 与 ZnO/GaAs 衬底上所有 θ 值处均存在抛物线状速度-温度趋势。在 200 K 以下，ZnO/GaAs 衬底中在 [110] 方向附近出现较慢的表面声波模式，这在室温（RT）下未见。
引用
@article{arxiv.2105.00319,
title = {Temperature dependent angular dispersions of surface acoustic waves on GaAs},
author = {Mats Powlowski and Francois Sfigakis and Na Young Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.00319},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 3 figures