GaAs 上的聚焦型表面声波微腔

用于表面声波（SAW）的聚焦微腔可产生高度局域化的应变与压电场，从而动态调控纳米结构中的激发。生成与纳米结构尺寸匹配的 SAW 束的聚焦换能器（FIDT）因衍射与波速各向异性而需要进行图形修正。各向异性修正通常通过在波速对传播角的依赖关系中加入二次项来实现。我们表明，在 GaAs 中实现衍射极限尺寸的 SAW 聚焦所需的修正更接近于遵循群速度波前，而群速度波前并非二次函数。所得 SAW 位移场的光学干涉映射揭示了 GaAs 上束腰极小的紧密聚焦 SAW 束。一组额外的 Gouy 相位修正无源指条在焦区形成小体积、高品质因数的声学微腔。我们的 $\lambda_\mathrm{SAW} = 5.6~\mu$m FIDT 有望良好地缩放至研究静电 GaAs 量子点中振动与电子强耦合所需的 $\approx$ 500~nm 波长 regime。