高迁移率p-SiGe/Ge/SiGe异质结构中的声电效应
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
给出了高迁移率p-SiGe/Ge/SiGe结构中声电效应（表面声波衰减和速度）的测量结果。该结构通过LEPECVD生长，具有埋入应变Ge层中的二维沟道。测量在不同表面声波强度下，作为温度（1.5-4.2 K）和磁场（高达8.4 T）的函数，频率为28和87 MHz。观察到了表面声波衰减和速度变化的Shubnikov-de Haas-like振荡。采用无电接触的方法测量了空穴密度和迁移率、有效质量、量子弛豫时间和输运弛豫时间以及Dingle温度。研究了表面声波电场对二维空穴气的加热效应。确定了能量弛豫时间τ_ε和形变势常数。
引用
@article{arxiv.0906.2653,
title = {Acoustoelectric effects in very high-mobility $p$-SiGe/Ge/SiGe heterostructure},
author = {I. L. Drichko and A. M. Diakonov and E. V. Lebedeva and I. Yu. Smirnov and O. A. Mironov and M. Kummer and H. von Känel},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.2653},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 7 figures, 1 table