GaAs 外延结构中界面陷阱缺陷的声电研究
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们报道了一种利用瞬态横向声电电压（TAV）研究固态结构的新声电方法。该电压在产生信号的声表面波（SAW）关闭后出现。相关测量包括检测瞬态电压的形状及其光谱和温度依赖性。理论和实验均表明，该方法是一种表征外延半导体结构体相以及表面或界面处陷阱中心的有效工具。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9710249,
title = {Acoustoelectric Study of Interface Trapping Defects in GaAs Epitaxial Strucrures},
author = {I. V. Ostrovskii and S. V. Saiko and O. Ya. Olikh and H. G. Walther},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9710249},
year = {2007}
}
备注
11 pages, 6 EPS figures