场效应n-i-p横向结中的声电致发光
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们展示了一种表面声波驱动的发光二极管结构，该结构可以实现用于量子密码学应用的单光子源。我们的横向 n-i-p 结是通过栅极控制从非掺杂 GaAs/AlGaAs 量子阱开始实现的。它集成了用于产生 SAW 的叉指换能器和用于电流控制的横向栅极。我们演示了声电输运和 SAW 驱动的电致发光。通过横向栅极，声电电流可以被控制直至完全夹断。
引用
@article{arxiv.0903.1230,
title = {Acoustoelectric luminescence from a field-effect n-i-p lateral junction},
author = {Giorgio De Simoni and Vincenzo Piazza and Lucia Sorba and Giorgio Biasiol and Fabio Beltram},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.1230},
year = {2009}
}