自组织 Ge/Si 量子点阵列的交交阻导

研究了浓度为 $n=4 \times 10^{11}$ cm$^{-2}$ 的 Ge 量子点在 Si 基中的阵列。利用沿压电晶体表面传播的表面声波（SAW）的衰减进行表征。测量了 SAW 磁场衰减系数 $\Delta\Gamma=\Gamma(\omega, H)-\Gamma(\omega, 0)$ 以及 SAW 速度变化 $\Delta V /V=(V(H)-V(0)) / V(0)$，在温度区间 $T$ = 1.5-4.2 K 下，随磁场 $H$ 至 6 T 测得频率范围 $f$ = 30-300 MHz。基于 $\Delta\Gamma$ 对 $H$、$T$ 和 $\omega$ 的依赖关系以及其符号，我们认为 AC 导电机制是在费米能级处的局域态之间的扩散与隧穿的结合。讨论了 SAW 衰减的磁场依赖性。