整数量子霍尔效应体制下无序二维系统的高频跳跃电导率

通过测量表面声波 (SAW) 的衰减和速度 (f=30 MHz) 获得了高频 (hf) 电导率 $\sigma^{hf} = \sigma_1^{hf} - i\sigma_2^{hf}$，样品为 GaAs/AlGaAs 异质结构 ($n=1.3-7\cdot 10^{11}cm^{-2}$)。结果表明，在整数量子霍尔效应 (IQHE) 体制下，对所有样品在霍尔平台中间对应的磁场和 T=1.5 K 下，$\sigma_1 / \sigma_2 =0.14 \pm 0.03$。比值 $\sigma_1 / \sigma_2=0.15$ 指向高频跳跃电导机制（由“紧密”对形成的局域态间的电子跃迁）有效 \cite{1}。分析了 $\sigma_1$ 和 $\sigma_2$ 对温度和磁场的依赖性，确定了由杂质随机势展宽的朗道带宽度。