整数量子霍尔效应区宽量子阱 n-GaAs/AlAs 异质结构中的交流及直流电导

测量了具有双层电子密度分布的宽（46 nm）GaAs 量子阱的直流（dc）$\sigma_{xx}^{dc}$ 与交流（ac）$\sigma_{xx}^{ac}=\sigma_1-i\sigma_2$ 电导率。发现 $\sigma_{xx}$ 的磁场依赖关系表现出三组振荡，分别对应于对称与反对称子带间朗道能级之间的跃迁，以及由这些子带塞曼分裂所引起的跃迁。对交流电导率的频率依赖关系及 $\sigma_1 / \sigma_2$ 比值的分析表明，振荡极小值处的电导率由跳跃机制决定。