d 电子体系中交流反常霍尔电导率理论

为了阐明 $d$ 电子体系中反常霍尔效应 (AHE) 的内禀性质，我们在具有 ($d_{xz},d_{yz}$) 轨道的紧束缚模型中研究了交流反常霍尔电导率 (AHC)。我们推导了适用于有限准粒子阻尼率 $\gamma$=$\hbar/2\tau$ 的交流 AHC $\sigma_{xy}(\omega)$ 的一般表达式，并发现交流 AHC 强烈依赖于 $\gamma$。当 $\gamma=+0$ 时，交流 AHC 在有限能量 $\Delta$ 处显示出一个尖峰，该尖峰源于带间粒子 - 空穴激发，其中 $\Delta$ 代表从费米能级测得的最小能带分裂。相比之下，我们发现当 $\gamma$ 为有限值时，该尖峰会迅速被抑制。通过在 $d$ 电子体系中使用 $\omega=\Delta/2$ 处的 $\gamma(\omega)$ 现实值，尖峰受到显著抑制。在当前模型中，所得结果也代表了顺磁态下的交流自旋霍尔电导率。