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绝缘区反常霍尔效应的标度律

介观与纳米尺度物理 2013-03-14 v2

摘要

我们发展了一种理论方法来研究绝缘区反常霍尔效应(AHE)的标度律,实验上在大量材料中观测到σxyAHσxx1.401.75\sigma_{xy}^{AH}\propto\sigma_{xx}^{1.40\sim1.75}。这种标度律与金属中观测到的标度律有本质不同。基于声子辅助跳跃机制和渗流理论,我们推导出反常霍尔电导率的通用公式,并证明其与纵向电导率的标度关系为σxyAHσxxγ\sigma_{xy}^{AH}\sim\sigma_{xx}^{\gamma},预测γ\gamma的范围为1.38γ1.761.38\leq\gamma\leq1.76,与实验观测定量吻合。我们的结果为理解绝缘区的AHE提供了更清晰的认识,并完善了AHE的标度相图。

关键词

引用

@article{arxiv.1104.1473,
  title  = {The Scaling of the Anomalous Hall Effect in the Insulating Regime},
  author = {Xiong-Jun Liu and Xin Liu and Jairo Sinova},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1104.1473},
  year   = {2013}
}

备注

4 pages, 4 figures, plus the supplementary information. Minor revisions made according to Referee reports