(Ga,Mn)As场效应结构中的反常霍尔效应
材料科学
2015-03-17 v2
摘要
研究了以薄层(Ga,Mn)As为沟道的金属-绝缘体-半导体结构中，在栅电场改变Mn和空穴密度的宽范围内出现的反常霍尔效应。在具有最高居里温度的样品中，发现了反常霍尔电导σ_xy的强烈且未预料到的温度依赖性，包括符号的改变。对于更无序的沟道，恢复了σ_xy与σ_xx之间的标度关系，类似于先前在较厚样品中观察到的结果。
引用
@article{arxiv.1101.0652,
title = {Anomalous Hall effect in field-effect structures of (Ga,Mn)As},
author = {D. Chiba and A. Werpachowska and M. Endo and Y. Nishitani and F. Matsukura and T. Dietl and H. Ohno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.0652},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures