(In,Mn)Sb稀磁半导体中的反常霍尔效应
其他凝聚态物理
2009-11-13 v4
摘要
对(In,Mn)Sb铁磁相中霍尔电阻率的高磁场研究使得其正常和反常分量得以分离。我们表明反常霍尔项与磁化强度不成正比,甚至随磁场改变符号。我们还表明施加压力会改变散射过程,但不影响霍尔效应。这些观察表明(In,Mn)Sb中的反常霍尔效应是一种本征性质,并支持贝里相理论在(III,Mn)V半导体中的应用。我们提出了一种反常霍尔电导的现象学描述,基于重空穴和轻空穴价带以及劈裂带的磁场依赖相对位移。
引用
@article{arxiv.0709.0059,
title = {Anomalous Hall effect in (In,Mn)Sb dilute magnetic semiconductor},
author = {G. Mihaly and M. Csontos and S. Bordacs and I. Kezsmarki and T. Wojtowicz and X. Liu and B. Janko and J. K. Furdyna},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.0059},
year = {2009}
}