(Ga,Mn)As中反常霍尔效应的标度关系
材料科学
2015-05-14 v1
摘要
我们展示了对一组扩展的(Ga,Mn)As样品在4.2 K下进行的磁输运研究，其纵向电导率σ_xx覆盖了从低电导率到高电导率的范围。从测量的纵向电阻率和霍尔电阻率中提取了反常霍尔电导率σ_xy^(AH)。观察到从高电导率区域由贝里相位效应导致的σ_xy^(AH)=20 Ω^{-1}cm^{-1}，到低电导率样品中σ_xy^(AH)与σ_xx^{1.6}成正比的标度关系的转变。该标度关系与最近在Keldysh形式框架内发展的反常霍尔效应统一理论一致。它被发现与晶体取向、生长条件、Mn浓度和应变无关，因此可被视为低电导率(Ga,Mn)As的普适关系。该关系在从低电导率(Ga,Mn)As的磁输运测量中推导空穴浓度值时起着关键作用。此外，根据测量的纵向电导率确定了高电导率样品的空穴扩散常数。
引用
@article{arxiv.0908.2935,
title = {Scaling relation of the anomalous Hall effect in (Ga,Mn)As},
author = {M. Glunk and J. Daeubler and W. Schoch and R. Sauer and W. Limmer},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.2935},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in Physical Review B