半导体中由非常规补偿磁相引起的自发反常霍尔效应
材料科学
2023-01-24 v3
摘要
反常霍尔效应通常在金属磁体中观察到，已被确立为源于铁磁体中内部宏观磁化或非零共线磁序对时间反演对称性的破缺。此处我们在MnTe外延薄膜中，于无外磁场下观察到自发反常霍尔信号，MnTe是一种具有Mn磁矩共线反平行磁有序且净磁化为零的半导体。该反常霍尔效应源于一种非常规相，其具有强时间反演对称性破缺以及实空间晶体结构和动量空间电子结构中的交替自旋极化。非磁性Te原子导致的磁性Mn原子的各向异性晶体环境，对于建立该非常规相并产生反常霍尔效应至关重要。
引用
@article{arxiv.2112.06805,
title = {Spontaneous anomalous Hall effect arising from an unconventional compensated magnetic phase in a semiconductor},
author = {R. D. Gonzalez Betancourt and J. Zubáč and R. J. Gonzalez-Hernandez and K. Geishendorf and Z. Šobáň and G. Springholz and K. Olejník and L. Šmejkal and J. Sinova and T. Jungwirth and S. T. B. Goennenwein and A. Thomas and H. Reichlová and J. Železný and D. Kriegner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.06805},
year = {2023}
}
备注
34 pages, 14 figures