高质量 NbMnP 揭示的反铁磁结构引起的本征反常霍尔效应

反铁磁（AF）材料中的大反常霍尔效应（AHE）源于等效于铁磁（FM）态的对称性破缺。因此，这表明观测到的 AHE 是由能带结构效应的本征机制诱导的，进而诱导了无耗散的横向电导率。确认对杂质不敏感的反常霍尔电导率（AHC）对于得出这一解释至关重要；然而，由于缺乏高质量系统，对 AF 材料的实验研究受到限制。在本研究中，我们展示了表现出大 AHE 的 AF 材料 NbMnP 提供了高质量的单晶。我们的发现清楚地表明，大的 AHC 和约 $\sim10^{-3} \mu_{\mathrm{B}}$/Mn 的微小净磁化强度是该材料固有的，与无序无关。NbMnP 是一种新型 AF 材料，它在杂质散射较少的区域产生 FM 响应。