在反磁性材料 TaMnP 中实现可调域控的大型自发哈尔效应

无奇异-时间 (PT) 对称性的反磁性材料为功能磁性材料领域提供了新视角。在其中，表现出类铁磁响应的材料是未来应用（如反磁性存储器）的理想候选材料，但显示大效应的实例极其有限。本研究中，我们表明正交系 TaMnP 在尽管净磁化不大（约 $10^{-2}$ $\mu_B$/Mn）的情况下，表现出较大的异常哈尔导电率 $\sim360-370$ $\Omega^{-1}$cm$^{-1}$。我们的中子散射实验和对 AH 效应的观察表明，TaMnP 的磁结构主要由 $B_{3g}$ 矢量 ($q=0$) 表示的反磁性成分构成。此外，我们确认得到的 AHC 已是零场下 AF 材料中观察到的最大值之一。进一步的第一性原理计算揭示，非磁性 Ta-$5d$ 电子的自旋轨道相互作用在动量空间中显著增强了 Berry 曲率。我们发现，沿所有晶轴的磁场均可触发 AF 域开关，表明可利用小净磁化（在结构上不同）来控制 AF 域。