来源于f电子齐列反磁结构的大规格異常霍尔导电率
强关联电子
2024-09-09 v1 材料科学
摘要
适当的对称性破缺可在反磁性材料中产生异常霍尔效应，即使是反磁性材料也是如此。以d电子为导电性磁性材料为典型例，能显示显著响应。相较之下，反磁结构如何产生响应仍不清晰。本研究表明，反磁性材料Ce2CuGe6产生异常霍尔导电率(AHC)为550 Ω⁻¹cm⁻¹，显著高于d电子反磁材料中先前报告的数值。观察到的特征，包括对电导率的比例关系，表明该AHC由反磁结构导出的内在及外在机制共同诱导。
引用
@article{arxiv.2409.04071,
title = {Large Anomalous Hall Conductivity Derived from an $f$-Electron Collinear Antiferromagnetic Structure},
author = {Hisashi Kotegawa and Hiroto Tanaka and Yuta Takeuchi and Hideki Tou and Hitoshi Sugawara and Junichi Hayashi and Keiki Takeda},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.04071},
year = {2024}
}
备注
5 pages, 4 figures