二维非共线反铁磁半导体 Cr0.68Se 中的反常霍尔效应
材料科学
2017-08-02 v1 强关联电子
摘要
已生长出具有二维(2D)特征的Cr0.68Se单晶，并测量了详细的磁化M(T)、电输运性质（包括纵向电阻率和霍尔电阻率）以及热输运性质（包括热容Cp(T)和热电势(TEP) S(T)）。有一些有趣现象：(i) Cr0.68Se呈现非共线反铁磁(AFM)半导体行为，尼尔温度TN = 42 K，激活能Eg=3.9 meV；(ii) 它在TN以下表现出反常霍尔效应(AHE)和约83.7%的大负磁电阻(MR) (2 K, 8.5 T)。AHE系数RS在T=2 K时为0.385 cm-3/C，AHE电导率{\sigma}H在T=40 K时约为1 ohm-1cm-1；(iii) 反常霍尔电阻率与纵向电阻率之间的标度行为为线性，进一步分析表明Cr0.68Se中AHE的起源主要由斜散射机制主导。我们的结果可能有助于探索这类2D AFM半导体的潜在应用。
引用
@article{arxiv.1707.01252,
title = {Anomalous Hall effect in two-dimensional non-collinear antiferromagnetic semiconductor Cr0.68Se},
author = {J. Yan and X. Luo and F. C. Chen and Q. L. Pei and G. T. Lin and Y. Y. Han and L. Hu and P. Tong and W. H. Song and X. B. Zhu and Y. P. Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.01252},
year = {2017}
}
备注
Accepted by Appl.Phys.Lett