Ce$_2$PtGe$_6$ 共线反歧磁性中出现的大型自发霍尔效应

自发霍尔效应对应于无磁场异常霍尔效应（AHE），由与铁磁性相关的对称性破坏引发。近年来，研究发现，由允许铁磁性的磁点群所描述的反歧磁性（AFM）态也可破坏相关对称性，无大型净磁化即可诱导AHE。本文报告了反歧磁性体系Ce$_2$PtGe$_6$表现出显著的自发霍尔效应。单晶中子散射实验表明，Ce$_2$PtGe$_6$具有传播矢量$q=0$的共线AFM结构。约为$10^{-3}$ $\mu_B$/Ce的小净磁化表明所观察到的AHE源于其AFM结构固有的对称性破坏。异常霍尔导电率（AHC）达到$300$ $\Omega^{-1}$cm$^{-1}$，超过相关化合物如Ce$_2$CuGe$_6$和Ce$_2$PdGe$_6$的本征AHC。这一较大的AHC最可能归因于Pt原子的较大自旋轨道耦合，为理解Berry曲率与AFM配置下局域f磁矩之间的相互作用提供了平台。