Kagome 节点面半导体 Fe$_3$Ge 中的巨型异常哈德效应
介观与纳米尺度物理
2025-01-28 v1 材料科学
摘要
人们熟知，固有异常哈德效应 (AHE) 源于非零Berry曲率 (BC) 的积分，通常在 Dirac/Weyl 和节点线半导体中观察到。此外，预期节点面半导体在费米能级附近存在退化点的情况下会表现出更大的 BC。本文报告在具有二维 (2D) 节点面 (NS) 位于 平面上的 Kagome 磁体 FeGe 中检测到巨型 AHE，其异常哈德导电率 (AHC) 在 160 K 时为 1500 cm，为目前报告的所有 Kagome 拓扑材料中最高。此发现表明该材料为寻找大 AHC 材料的新平台，促进了自旋电子器件和量子计算的室温应用潜力。
引用
@article{arxiv.2501.15424,
title = {Giant Anomalous Hall Effect in Kagome Nodal Surface Semimetal Fe$_3$Ge},
author = {Shu-Xiang Li and Wencheng Wang and Sheng Xu and Tianhao Li and Zheng Li and Jinjin Wang and Jun-Jian Mi and Qian Tao and Feng Tang and Xiangang Wan and Zhu-An Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.15424},
year = {2025}
}