Kagom$\acute{e}$ 反铁磁体 U$_3$Ru$_4$Al$_{12}$ 中的大可调反常霍尔效应
强关联电子
2020-07-29 v1 材料科学
摘要
磁性系统中的 Berry 曲率因可通过磁结构调控拓扑特征而备受关注。 电子具有强自旋轨道耦合、丰富的非共线磁结构及高电子可调性，是寻找可调拓扑性质的理想候选。本研究中，我们测量了畸变 kagom 重费米子反铁磁体 URuAl 中的反常霍尔效应 (AHE)。高场下的大本征 AHE 揭示了大 Berry 曲率的存在。此外，在 与 下获得大 Berry 曲率所需磁场显著不同，为该系统中拓扑响应的调控提供了机制。理论计算表明，这种敏感性可能源于电子结构的重费米子特性。这些结果不仅阐明了磁挫败重费米子材料中强关联能带的 Berry 曲率，也强调 5 电子是研究场调拓扑态的理想平台。
引用
@article{arxiv.2007.14378,
title = {Large Tunable Anomalous Hall Effect in the Kagom$\acute{e}$ Antiferromagnet U$_3$Ru$_4$Al$_{12}$},
author = {T. Asaba and Ying Su and M. Janoschek and J. D. Thompson and S. M. Thomas and E. D. Bauer and Shi-Zeng Lin and F. Ronning},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.14378},
year = {2020}
}