氧化物界面处反常霍尔效应的电场调控
强关联电子
2018-12-24 v1
摘要
我们展示了在具有强自旋轨道耦合的磁性界面处,反常霍尔效应(AHE)可通过外部电场进行调控。通过改变反演对称性破缺的强度,电场改变了 Rashba 相互作用,进而调制了 Berry 曲率的大小——决定反常霍尔电导率(AHC)的核心量。以一个方格点模型说明了该效应,其在小电场下给出 AHC 的二次依赖关系。对近期生长的铱酸盐界面,即 (SrIrO)/(SrMnO) (001) 结构,分别在有和无电场下进行了显式的密度泛函计算。该效应在自旋电子学应用中可能具有潜在用途。
引用
@article{arxiv.1812.08950,
title = {Electric field tuning of the anomalous Hall effect at oxide interfaces},
author = {Sayantika Bhowal and S. Satpathy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.08950},
year = {2018}
}