反铁磁材料NbMnAs在室温下的自发反常霍尔效应

近期研究表明，某些具有与铁磁体相同对称性破缺的反铁磁（AFM）材料可以产生足够大的铁磁（FM）响应。在此，我们报告新型AFM材料NbMnAs在零场和室温下表现出大的反常霍尔效应（AHE），尽管其仅有很小的净磁化强度。NbMnAs的多晶样品（可能接近化学计量比）表现出AFM态，其自发磁化强度约为 $6 \times 10^{-3} \mu_{\rm B}$/Mn，且在 $T_{\rm N}=354\,{\rm K}$ 以下出现AHE。相比之下，通过助熔剂法获得的NbMnAs单晶在As位点表现出缺陷，这导致 $T_{\rm N}$ 降低且自发磁化强度增加。尽管仍需改进单晶生长，我们的研究表明NbMnAs是一种能够在室温下表现出源自反铁磁性的显著FM响应的新型材料。