低Mn浓度Ge:Mn体系中的反常霍尔电阻
材料科学
2009-10-28 v1
摘要
以Mn掺杂锗为例，我们提出了稀磁半导体（FMS）中双带型导电的考虑。声称Ge:Mn为FMS的主要论据是反常霍尔效应（AHE）的出现。通常，所报道的AHE（1）在高于10 K的温度下可观测，（2）无磁滞现象，且（3）改变斜率符号。我们在Mn浓度低至0.004%的Mn注入Ge中观察到了类似的霍尔电阻。我们表明，这些令人费解的AHE特征可以通过考虑Ge:Mn中的双带型导电来解释。
引用
@article{arxiv.0910.1981,
title = {Anomalous Hall resistance in Ge:Mn systems with low Mn concentrations},
author = {Shengqiang Zhou and Danilo Buerger and Manfred Helm and Heidemarie Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.1981},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 3 figures, accepted for publication at Appl. Phys. Lett. accepted for publication at Appl. Phys. Lett