Nd2Ir2O7 薄膜反铁磁畴壁产生的非常规反常霍尔效应
强关联电子
2018-09-12 v1
摘要
铁性畴壁（DWs）与单畴块体材料相比，创造出不同的对称性与有序态。特别地，具有非共面自旋结构的反铁磁体（AFM）的畴壁具有其铁磁对应体所无法实现的独特对称性。在本文中，我们展示了非常规反常霍尔效应（AHE）可源于非共面反铁磁体 Nd2Ir2O7 的畴壁。块体 Nd2Ir2O7 具有立方对称性；因此，在无外加磁场时其霍尔信号应为零。该材料中产生的畴壁破坏了二重旋转对称性，从而允许有限的反常霍尔电导率。Nd 与 Ir 磁矩之间强烈的 f-d 交换相互作用显著影响了反铁磁畴的翻转。我们的外延 Nd2Ir2O7 薄膜在反铁磁畴翻转时显示出 AHE 信号的极大增强，表明 AHE 主要源于畴壁。我们的研究突出了反铁磁材料的对称性破缺界面作为探索拓扑效应及其相关应用的新途径。
引用
@article{arxiv.1807.02327,
title = {Unconventional anomalous Hall effect from antiferromagnetic domain walls of Nd2Ir2O7 thin films},
author = {Woo Jin Kim and John H. Gruenewald and Taekoo Oh and Sangmo Cheon and Bongju Kim and Oleksandr B. Korneta and Hwanbeom Cho and Daesu Lee and Yoonkoo Kim and Miyoung Kim and Je-Geun Park and Bohm-Jung Yang and Ambrose Seo and Tae Won Noh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.02327},
year = {2018}
}