两相半导体结构中的反常霍尔效应：铁磁夹杂物的关键作用
介观与纳米尺度物理
2014-07-30 v1
摘要
我们在理论和实验上研究了含有 20-50 nm 尺寸 MnAs 夹杂物的 InMnAs 层中的霍尔效应。我们发现，反常霍尔效应可以通过铁磁夹杂物磁场引起的洛伦兹力以及层中电流密度的非均匀分布来解释。铁磁夹杂物的平均磁化强度对外磁场的滞后依赖性导致了 的滞后依赖性。因此，我们展示了在没有载流子自旋极化的情况下，在含有铁磁夹杂物的薄导电层中出现 滞后依赖性（即观察到反常霍尔效应）的可能性。
引用
@article{arxiv.1307.4225,
title = {Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: the crucial role of ferromagnetic inclusions},
author = {A. V. Kudrin and A. V. Shvetsov and Yu. A. Danilov and D. A. Pavlov and A. I. Bobrov and N. V. Malekhonova and A. A. Timopheev and N. A. Sobolev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.4225},
year = {2014}
}