本征反常霍尔效应的线性磁化强度依赖性
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
对MnGe铁磁薄膜的反常霍尔效应进行了实验和理论研究。我们分离了实验反常霍尔效应的本征和非本征贡献，并使用第一性原理方法从Bloch态的Berry曲率计算了本征反常霍尔电导率。本征反常霍尔电导率线性依赖于磁化强度，这可以从有限温度下自旋取向的长波长涨落来理解。理论与实验之间的定量一致性非常好，不仅在接近0 K时，而且在高达约240 K（0.8 T）的有限温度下也是如此。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606354,
title = {Linear magnetization dependence of the intrinsic anomalous Hall effect},
author = {Changgan Zeng and Yugui Yao and Qian Niu and Hanno H. Weitering},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606354},
year = {2007}
}